销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | BSC080N03LS G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 53A 8mOhms | 5000+:¥1.93 10000+:¥1.85 25000+:¥1.78 50000+:¥1.76 125000+:¥1.72 |
 Mouser 贸泽电子 | BSC080N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3 | 1:¥5.1528 10:¥4.3166 100:¥2.7911 1,000:¥2.2374 5,000:¥2.2374
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 Mouser 贸泽电子 | BSC080N03LS G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 53A 8mOhms | 5000+:¥1.93 10000+:¥1.85 25000+:¥1.78 50000+:¥1.76 125000+:¥1.721+:¥4.5199 10+:¥3.51 100+:¥2.27 1000+:¥2.1 5000+:¥1.93 10000+:¥1.91 25000+:¥1.8399 50000+:¥1.81 100000+:¥1.79 |
 立创商城 | BSC080N03LS G | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W(Ta),35W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.62 10+:¥1.98 30+:¥1.87 100+:¥1.6625 500+:¥1.615 1000+:¥1.5865
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